|
|
|
부품번호 | RQK0302GGDQA 기능 |
|
|
기능 | Silicon N-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Renesas | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
RQK0302GGDQA
Silicon N Channel MOS FET
Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 92 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A)
• Low drive current
• High speed switching
• 4.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
3
Note: Marking is “GG”.
1
2
Preliminary Datasheet
R07DS0305EJ0600
Rev.6.00
Jan 10, 2014
3
D
G 1. Source
2 2. Gate
3. Drain
S
1
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID(Pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4: 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
30
±20
2.7
5
2.7
0.8
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
R07DS0305EJ0600 Rev.6.00
Jan 10, 2014
Page 1 of 7
RQK0302GGDQA
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
0.8
Pulse Test
Tc = 25°C
0.6
0.4 1.5 A
1.0 A
0.5 A
0.2 A
0.2 0.1 A
0
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature
260
Pulse Test
VGS = 4.5 V
220
ID = 1.5 A
1A
180
0.5 A
0.2 A
140
100
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
–25°C
25°C
1 Tc = 75°C
0.1
0.1
Pulse Test
VDS = 10 V
1
Drain Current ID (A)
10
Preliminary
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1.0
Pulse Test
Tc = 25°C
0.3
VGS = 4.5 V
0.1
10 V
0.03
0.01
0.1
0.3 1 3
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature
200
Pulse Test
VGS = 10 V
ID = 1.5 A
150
1A
0.5 A
100 0.2 A
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
1000
100
Pulse Test
VGS = 0 V
VDS = 30 V
10
1
0.1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
R07DS0305EJ0600 Rev.6.00
Jan 10, 2014
Page 4 of 7
4페이지 RQK0302GGDQA
Ordering Information
Orderable Part Number
Quantity
RQK0302GGDQATL-H 3000 pcs.
Preliminary
Shipping Container
φ178 mm reel, 8 mm Emboss taping
R07DS0305EJ0600 Rev.6.00
Jan 10, 2014
Page 7 of 7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ RQK0302GGDQA.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RQK0302GGDQA | Silicon N-Channel MOS FET | Renesas |
RQK0302GGDQS | Silicon N-Channel MOS FET | Renesas |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |