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RQK0608BQDQS 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RQK0608BQDQS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RQK0608BQDQS 자료 제공

부품번호 RQK0608BQDQS 기능
기능 Silicon N-Channel MOS FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RQK0608BQDQS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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RQK0608BQDQS 데이터시트, 핀배열, 회로
RQK0608BQDQS
Silicon N Channel MOS FET
Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 120 mtyp.(at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A)
Low drive current
High speed switching
VDSS : 60 V and capable of 2.5 V gate drive
Outline
RENESAS package code: PLZZ0004CA-A
(Package name: UPAK R )
1
2
3
4
1G
Note: Marking is “BQ“.
REJ03G1621-0100
Rev.1.00
Mar 03, 2008
2, 4
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
S
3
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 µs, Duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
60
±12
3.2
10
3.2
1.5
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 Mar 03, 2008
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RQK0608BQDQS pdf, 반도체, 판매, 대치품
RQK0608BQDQS
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
800
Pulse Test
Tc = 25°C
600
400 ID = 3.2 A
2.4 A
200 1.6 A
1.0 A
0.5 A
0
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (1)
300
Pulse Test
VGS = 4.5 V
250
200
ID = 3.2 A
2.4 A
1.6 A
150 1.0 A
0.5A
100
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
Pulse Test
VDS = 10 V
10
–25°C
25°C
1 Tc = 75°C
0.1
0.01
0.1 1
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1000
VGS = 2.5 V
100
10 V 4.5 V
10
0.1
Pulse Test
Tc = 25°C
1 10
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (2)
300
Pulse Test
VGS = 2.5 V
250
200
150
ID = 3.2 A
2.4 A
1.6 A
1.0 A
0.5A
100
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
10000
1000
Pulse Test
VGS = 0 V
VDS = 60 V
100
10
1
0.1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 Mar 03, 2008
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RQK0608BQDQS 전자부품, 판매, 대치품
RQK0608BQDQS
Package Dimensions
Package Name
UPAK
JEITA Package Code
SC-62
RENESAS Code
PLZZ0004CA-A
Previous Code
UPAK / UPAKV
MASS[Typ.]
0.050g
4.5 ± 0.1
1.8 Max
φ1
0.53 Max
0.48 Max
1.5 1.5
3.0
1.5 ± 0.1
0.44 Max
0.44 Max
(1.5)
Unit: mm
Ordering Information
Part No.
RQK0608BQDQSTL-E
Quantity
1000 pcs.
Shipping Container
φ178 mm reel, 12 mm Emboss taping
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 Mar 03, 2008
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