|
|
|
부품번호 | RQK0608BQDQS 기능 |
|
|
기능 | Silicon N-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Renesas | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
RQK0608BQDQS
Silicon N Channel MOS FET
Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 120 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A)
• Low drive current
• High speed switching
• VDSS : 60 V and capable of 2.5 V gate drive
Outline
RENESAS package code: PLZZ0004CA-A
(Package name: UPAK R )
1
2
3
4
1G
Note: Marking is “BQ“.
REJ03G1621-0100
Rev.1.00
Mar 03, 2008
2, 4
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
S
3
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
60
±12
3.2
10
3.2
1.5
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 Mar 03, 2008
Page 1 of 7
RQK0608BQDQS
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
800
Pulse Test
Tc = 25°C
600
400 ID = 3.2 A
2.4 A
200 1.6 A
1.0 A
0.5 A
0
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (1)
300
Pulse Test
VGS = 4.5 V
250
200
ID = 3.2 A
2.4 A
1.6 A
150 1.0 A
0.5A
100
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
Pulse Test
VDS = 10 V
10
–25°C
25°C
1 Tc = 75°C
0.1
0.01
0.1 1
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1000
VGS = 2.5 V
100
10 V 4.5 V
10
0.1
Pulse Test
Tc = 25°C
1 10
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (2)
300
Pulse Test
VGS = 2.5 V
250
200
150
ID = 3.2 A
2.4 A
1.6 A
1.0 A
0.5A
100
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
10000
1000
Pulse Test
VGS = 0 V
VDS = 60 V
100
10
1
0.1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 Mar 03, 2008
Page 4 of 7
4페이지 RQK0608BQDQS
Package Dimensions
Package Name
UPAK
JEITA Package Code
SC-62
RENESAS Code
PLZZ0004CA-A
Previous Code
UPAK / UPAKV
MASS[Typ.]
0.050g
4.5 ± 0.1
1.8 Max
φ1
0.53 Max
0.48 Max
1.5 1.5
3.0
1.5 ± 0.1
0.44 Max
0.44 Max
(1.5)
Unit: mm
Ordering Information
Part No.
RQK0608BQDQSTL-E
Quantity
1000 pcs.
Shipping Container
φ178 mm reel, 12 mm Emboss taping
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 Mar 03, 2008
Page 7 of 7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ RQK0608BQDQS.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RQK0608BQDQS | Silicon N-Channel MOS FET | Renesas |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |