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부품번호 | MTB060N15J3 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | ||
제조업체 | CYStech | ||
로고 | |||
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C970J3
Issued Date : 2014.06.14
Revised Date : 2014.06.16
Page No. : 1/9
N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB060N15J3 BVDSS
ID @VGS=10V
RDS(ON)@VGS=10V, ID=4A
RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=2A
150V
16A
59mΩ(typ)
60mΩ(typ)
Features
• Low Gate Charge
• Simple Drive Requirement
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB060N15J3
Outline
TO-252(DPAK)
G:Gate D:Drain S:Source
G DS
Ordering Information
Device
MTB060N15J3-0-T3-G
Package
TO-252
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
2500 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB060N15J3
CYStek Product Specification
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C970J3
Issued Date : 2014.06.14
Revised Date : 2014.06.16
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
48
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
40
10V,9V,8V,7V,6V,5V,4V,3
32
24
2.5V
16
8 VGS=2V
0
0 3 6 9 12 15
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
10000
1000
100
VGS=2V
VGS=2.5V
VGS=3V
VGS=4.5V
VGS=10V
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
0.8
Tj=25°C
0.6
Tj=150°C
0.4
10
0.01
0.1 1
ID, Drain Current(A)
10
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
1000
ID=4A
800
600
400
200
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
2 46 8
IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
3
VGS=10V, ID=4A
2.5
2
1.5
1
0.5 RDS(ON)@Tj=25°C : 59mΩ
0
-65 -35
-5 25 55 85 115 145 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB060N15J3
CYStek Product Specification
4페이지 Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C970J3
Issued Date : 2014.06.14
Revised Date : 2014.06.16
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB060N15J3
CYStek Product Specification
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MTB060N15J3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | CYStech |
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