Datasheet.kr   

MTBA6C15J4 데이터시트 PDF




CYStech에서 제조한 전자 부품 MTBA6C15J4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTBA6C15J4 자료 제공

부품번호 MTBA6C15J4 기능
기능 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 CYStech
로고 CYStech 로고


MTBA6C15J4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 13 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MTBA6C15J4 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C938J4
Issued Date : 2014.10.15
Revised Date : 2014.10.28
Page No. : 1/13
N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTBA6C15J4
BVDSS
ID @VGS=10V(-10V)
Features
Low gate charge
Simple drive requirement
Pb-free lead plating and halogen-free package
RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V)
RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V)
N-CH
150V
9.3A
167mΩ
172mΩ
P-CH
-150V
-7.1A
253mΩ
273mΩ
Equivalent Circuit
MTBA6C15J4
Outline
TO-252-4L
GGate DDrain SSource
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limits
N-channel P-channel
Drain-Source Voltage
VDS 150
-150
Gate-Source Voltage
VGS ±20
±20
Continuous Drain Current @ TC=25°C, VGS=10V(-10V) (Note1)
Continuous Drain Current @ TC=100°C, VGS=10V(-10V) (Note1)
ID
9.3
6.6
-7.1
-5.0
Continuous Drain Current @ TA=25°C, VGS=10V(-10V) (Note2)
Continuous Drain Current @ TA=70°C, VGS=10V(-10V) (Note2)
IDSM
2
1.7
-1.5
-1.3
Pulsed Drain Current *1
(Note3) IDM
20
-20
Total Power Dissipation (TC=25)
Total Power Dissipation (TC=100)
(Note1)
(Note1)
PD
37.5
18.7
Total Power Dissipation (TA=25)
Total Power Dissipation (TA=70)
(Note2)
(Note2)
PDSM
2.4
1.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55~+175
Note : *1. Pulse width limited by maximum junction temperature
*2. Duty cycle 1%
Unit
V
A
W
°C
MTBA6C15J4
CYStek Product Specification




MTBA6C15J4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C938J4
Issued Date : 2014.10.15
Revised Date : 2014.10.28
Page No. : 4/13
Q1, N-CH Typical Characteristics
20
10V
9V
16 8V
7V
6V
12 5V
4V
8 3.5V
Typical Output Characteristics
VGS=3V
4
VGS=2.5V
0
0 2 4 6 8 10
VDS, Drain-Source Voltage(V)
1000
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=2.5V
VGS=4.5V
VGS=3V
100
0.01
VGS=10V
0.1 1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
800
700
600 ID=2.5A
500
400
300
200
100
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
1
Tj=25°C
0.8
0.6
Tj=150°C
0.4
0.2
0
2 46 8
IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.8
VGS=10V, ID=2.5A
2.4 RDS(ON)@Tj=25°C : 167mΩ typ.
2
1.6
1.2
0.8 VGS=4.5V, ID=2A
RDS(ON)@Tj=25°C : 174 mΩ typ.
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
MTBA6C15J4
CYStek Product Specification

4페이지










MTBA6C15J4 전자부품, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C938J4
Issued Date : 2014.10.15
Revised Date : 2014.10.28
Page No. : 7/13
Q2, P-CH Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
20
-10V
-9V
16 -8V
-7V
12
-6V
-5V
VGS=-4V
VGS=-3.5V
8 VGS=-3V
4
VGS=-2.5V
0
0 2 4 6 8 10
-VDS, Drain-Source Voltage(V)
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=-250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
1000
VGS=-2.5V
VGS=-3V
Source Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
Tj=25°C
0.8
VGS=-4.5V
VGS=-10V
0.6
0.4
Tj=150°C
100
0.01
0.1 1 10
-ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
600
560 ID=-1.5A
520
480
440
400
360
320
280
240
200
0
2 46 8
-VGS, Gate-Source Voltage(V)
10
0.2
0
2 46 8
-IS, Source Drain Current(A)
10
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.4
2.2 VGS=-10V, ID=-1.5A
2 RDS(ON)@Tj=25°C : 253mΩ typ.
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8 VGS=-4.5V, ID=-1A
0.6 RDS(ON)@Tj=25°C : 274mΩ typ.
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
MTBA6C15J4
CYStek Product Specification

7페이지


구       성 총 13 페이지수
다운로드[ MTBA6C15J4.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MTBA6C15J4

N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech
CYStech

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵