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BAP64-04WS 데이터시트 PDF




SeCoS에서 제조한 전자 부품 BAP64-04WS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAP64-04WS 자료 제공

부품번호 BAP64-04WS 기능
기능 Small Signal General Purpose PiN Diode
제조업체 SeCoS
로고 SeCoS 로고


BAP64-04WS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BAP64-04WS 데이터시트, 핀배열, 회로
Elektronische Bauelemente
BAP64-04WS / BAP64-05WS /
BAP64-06WS
Small Signal General Purpose PiN Diode
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Low diode capacitance
Low series inductance
High voltage, current controlled
RF resistor for RF attenuators and switches
RF attenuators and switches
MARKING CODE
Part Name BAP64-04WS BAP64-05WS BAP64-06WS
Marking
4W
5W
6W
Circuit
PACKAGE INFORMATION
Package
MPQ
SOT-323
3K
Leader Size
7 inch
SOT-323
A
L
3
Top View
CB
12
KE
1
3
2
D
F GH J
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
1.80 2.20
1.80 2.45
1.15 1.35
0.80 1.10
1.20 1.40
0.20 0.40
REF.
G
H
J
K
L
Millimeter
Min. Max.
0.100 REF.
0.525 REF.
0.08 0.25
--
0.650 TYP.
MAXIMUM RATINGS (at Ta = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Continuous Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction, Storage Temperature
Symbol
VR
IF
PD
RθJA
TJ, TSTG
Ratings
175
100
200
625
150, -55 ~ +150
Unit
V
mA
mW
°C / W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Ta = 25°C unless otherwise specified)
Parameters
Symbol Min.
Typ.
Max.
Forward Voltage
Reverse Voltage Leakage Current
Diode Capacitance
Diode Forward Resistance1
VF - - 1.1
- - 10
IR - - 1
- 0.52 -
CD - - 0.5
- - 0.35
- - 40
- - 20
rD - - 3.8
- - 1.35
Charge Carrier Life Time
tL
Series Inductance
BAP64-04WS
BAP64-06WS
BAP64-05WS
LS
Note:
1.Guaranteed on AQL basis: inspection level S4,AQL 1.0.
http://www.SeCoSGmbH.com/
23-Jan-2014 Rev. A
-
-
-
1.55
1.6
1.4
-
-
-
Unit
V
µA
pF
µS
Test Conditions
IF =50mA
VR =175V
VR =20V
VR =0, f =1MHz
VR =1 V, f =1MHz
VR =20 V, f =1MHz
IF = 0.5 mA, f =100MHz
IF =1mA, f =100MHz
IF =10mA, f =100MHz
IF =100mA, f =100MHz
When switched from
IF =10mA to IR =6mA;
RL =100 ;
measured at IR =3mA
nH IF=10mA, f=100MHz
Any changes of specification will not be informed individually.
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