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RJP60V0DPM-80 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RJP60V0DPM-80은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RJP60V0DPM-80 자료 제공

부품번호 RJP60V0DPM-80 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RJP60V0DPM-80 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RJP60V0DPM-80 데이터시트, 핀배열, 회로
RJP60V0DPM-80
600V - 22A - IGBT
Application: Inverter
Features
High breakdown-voltage
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
Short circuit withstand time (6 μs typ.)
Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003ZD-A
(Package name: TO-3PF)
1
2
3
G
Preliminary Datasheet
R07DS1036EJ0200
Rev.2.00
Apr 02, 2014
C
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
E
Absolute Maximum Ratings
Item
Collector to emitter voltage / diode reverse voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Collector peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 μs, duty cycle 1%
2. Value at Tc = 25°C
Symbol
VCES / VR
VGES
IC
IC
IC(peak) Note1
PC Note2
θj-c Note2
Tj
Tstg
Ratings
600
±30
45
22
90
60
2.08
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C/ W
°C
°C
R07DS1036EJ0200 Rev.2.00
Apr 02, 2014
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RJP60V0DPM-80 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RJP60V0DPM-80
Typical Transfer Characteristics
100
Tc = –25°C
80 2C
75°C
125°C
60
40
20
VCE = 10 V
Pulse Test
0
4 6 8 10 12 14 16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Gate to Emitter Cutoff Voltage
vs. Junction Temparature (Typical)
10
VCE = 10 V
Pulse Test
8 IC = 10 mA
6
4 1 mA
2
0
25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temparature Tj (°C)
Dynamic Input Characteristics (Typical)
800
VCC = 400 V
600 300 V
16
VGE
12
400
200
0
0
VCC = 400 V
300 V
8
4
VCE
IC = 22 A
Ta = 25°C
0
20 40 60 80 100
Gate Charge Qg (nc)
Preliminary
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Junction Temparature (Typical)
4
VGE = 15 V
Pulse Test
3
IC = 45 A
2 22 A
3A
1
0
25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temparature Tj (°C)
10000
Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
1000
Cies
100
Coes
10
VGE = 0 V
f = 1 MHz
Cres
1 Ta = 25°C
0 50 100 150 200 250 300
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
R07DS1036EJ0200 Rev.2.00
Apr 02, 2014
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RJP60V0DPM-80 전자부품, 판매, 대치품
RJP60V0DPM-80
Package Dimension
Package Name
TO-3PF
JEITA Package Code
RENESAS Code
PRSS0003ZD-A
Previous Code
TO-3PFS
MASS[Typ.]
5.5g
15.5 ± 0.2
3.6 ± 0.2
5.5 ± 0.2
3.0 ± 0.2
Preliminary
Unit: mm
2.0 ± 0.2
0.75
+0.2
0.1
5.45 typ. 5.45 typ.
2.0 ± 0.2
3.3 ± 0.2
0.9
+0.2
0.1
Ordering Information
Orderable Part No.
RJP60V0DPM-80#T2
360 pcs
Quantity
Shipping Container
Box (Tube)
R07DS1036EJ0200 Rev.2.00
Apr 02, 2014
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