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BAV19W 데이터시트 PDF




MDD에서 제조한 전자 부품 BAV19W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAV19W 자료 제공

부품번호 BAV19W 기능
기능 FAST SWITCHING DIODES
제조업체 MDD
로고 MDD 로고


BAV19W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAV19W 데이터시트, 핀배열, 회로
BAV19W-BAV21W
FAST SWITCHING DIODES
1.80(.071)
1.40(.055)
SOD-123
1.65(.065)
1.55(.061)
3.86(0.152)
3.56(0.145)
2.84(0.112)
2.54(0.100)
3.9(0.154)
3.7(0.146)
2.7(0.106)
2.6(0.102)
FEATURES
Fast switching speed
Surface mount package ideally suited
for automatic insertion
For general purpose switching applications
.15(.006)
MAX
.71(0.028)
.50(0.020)
1.35(.053)
.94(.037)
.135(.005)
.127(.004)
.25(.010)
MIN
Dimensions in millimeters and (inches)
0.6(.023)
0.5(.020)
1.15(.045)
1.05(.041)
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic body
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Polarity symbols marked on case
Marking: BAV19W:A8, BAV20W:T2, BAV21W:T3
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25C
PARAMETER
Peak repetitive peak reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC Blocking voltage
SYMBOLS
VRRM
VRWM
VR
BAV19W
100
RMS Reverse voltage
Forward continuous current
Average rectified output current
Peak forward surge current @=1.0ms
@=1.0s
VR(RMS)
IFM
IO
IFSM
71
Repetitive peak forward current
Power dissipation
Thermal resistance junction to ambient
IFRM
Pd
RΘJA
Storage temperature
TSTG
Non-Repetitive peak reverse voltage
VRM 120
BAV20W
150
106
400
200
2.5
0.5
625
250
500
-65 to +150
200
Electrical ratings @TA=25C
PARAMETER
Forward voltage
Reverse current
BAV19W
BAV20W
BAV21W
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
SYMBOLS
VF1
VF2
Min.
IR
CT
trr
Typ.
Max.
1.0
1.25
0.1
0.1
0.1
5
50
Unit
V
V
uA
uA
uA
pF
ns
BAV21W
200
141
250
UNITS
V
V
mA
mA
A
mA
mW
K/W
C
V
Conditions
IF=0.1A
IF=0.2A
VR=100V
VR=150V
VR=200V
VR=0V,f=1.0MHz
IF=IR=10mA
Irr=0.1XIR,RL=100
MDD ELECTRONIC





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