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BAW56DW 데이터시트 PDF




Pan Jit International에서 제조한 전자 부품 BAW56DW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAW56DW 자료 제공

부품번호 BAW56DW 기능
기능 SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
제조업체 Pan Jit International
로고 Pan Jit International 로고


BAW56DW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAW56DW 데이터시트, 핀배열, 회로
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE 100 Volts
POWER 200mWatts
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• High Conductance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Weight: approximately 0.006gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
SYMBOL BAS16TW BAW56DW BAV70DW BAV99S UNITS
Marking Code
- 16T JC
JA JB -
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Rectified Current (Average),Half Wave Rectification With
Resistive Load and f>50Hz
Peak Forward Surge Current, 1.0µs
Power Dissipation Derate Above 25OC
VR
VRM
IO
I
FSM
PTOT
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current at 25V
75V
Maximum Junction Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Junction Temperature Range
Circuit Figure
VF
IR
CJ
TRR
RθJA
TJ
Fig.48
75
100
150
4.0
200
0.715@I =0.001A
F
0.855@I F=0.01A
1.0@I F=0.05A
1.25@I F=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55 to +150
Fig.51
Fig.52
V
V
mA
A
mW
V
µA
pF
ns
OC / W
OC
Fig.32
NOTE : 1. Reverse Bias Voltage = 0. f=1MHz
2. I F=10mA to I R=1mA. VR=6V. Load=100
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE . 1





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