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LNTA7002NT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LNTA7002NT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LNTA7002NT1G 자료 제공

부품번호 LNTA7002NT1G 기능
기능 Small Signal MOSFET
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LNTA7002NT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LNTA7002NT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Small Signal MOSFET
30 V, 154 mA, Single, N−Channel, Gate
ESD Protection, SC−89
Features
Low Gate Charge for Fast Switching
Small 1.6 X 1.6 mm Footprint
ESD Protected Gate
We declare that the material of product is ROHS compliant
and halogen free.
ESDD PPrrootteecctteedd:2:105000VV
ES-SPDrePfirxotfeocrteAdu:t1o5m0o0tVive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
Applications
Power Management Load Switch
Level Shift
Portable Applications such as Cell Phones, Media Players,
Digital Cameras, PDA’s, Video Games, Hand Held Computers, etc.
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol Value Unit
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage
Continuous Drain
Current (Note 1)
Steady State = 25°C
VDSS
VGS
ID
30
"10
154
V
V
mA
Power Dissipation
(Note 1)
Steady State = 25°C PD
300 mW
Pulsed Drain Current
tP v 10 ms
Operating Junction and Storage Temperature
Continuous Source Current (Body Diode)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8from case for 10 s)
IDM
TJ,
TSTG
ISD
TL
618
−55 to
150
154
260
mA
°C
mA
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol Max Unit
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)
RqJA
416 °C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
LNTA7002NT1G
S-LNTA7002NT1G
SC-89
Gate 1
3 Drain
Source 2
(Top View)
MARKING DIAGRAM
3
T6
12
T6 = Specific Device Code
M = Month Code
ORDERING INFORMATION
Device
Marking Shipping
LNTA7002NT1G
S-LNTA7002NT1G
T6
3000/Tape&Reel
LNTA7002NT3G
S-LNTA7002NT3G
T6
10000/Tape&Reel
Rev .O 1/5




LNTA7002NT1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LNTA7002NT1G , S-LNTA7002NT1G
25
Ciss
20 Crss
15
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
TJ = 25°C
1000
100
VDD = 5.0 V
ID = 75 mA
VGS = 4.5 V
td(off)
tf
10
Ciss
5 Coss
0 VDS = 0 V VGS = 0 V
10 5 0 5 10
VGS VDS
Crss
15 20
GATE−TO−SOURCE OR DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
10
1
1
tr
td(on)
10
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
100
0.16
0.14
0.12
VGS = 0 V
TJ = 25°C
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75
VSD, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
0.8
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
Rev .O 4/5

4페이지












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