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LNTK4003M3T5G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LNTK4003M3T5G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 LNTK4003M3T5G 자료 제공

부품번호 LNTK4003M3T5G 기능
기능 Small Signal MOSFET
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LNTK4003M3T5G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LNTK4003M3T5G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Small Signal MOSFET
30 V, 0.56 A, Single, N−Channel, Gate
ESD Protection, SOT723
Features
Low Gate Voltage Threshold(Vgs(th))to Facilitate Drive Circuit Design
Low Gate Charge for Fast Switching
ESD Protected Gate
Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V
We declare that the material of product is ROHS compliant
and halogen free.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
Applications
Level Shifters
Level Switches
Low Side Load Switches
Portable Applications
LNTK4003M3T5G
S-LNTK4003M3T5G
3
1
SOT-723
2
Drain
3
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol Value
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage
Continuous Drain
Current (Note 1)
Power Dissipation
(Note 1)
Steady TA = 25°C
State
TA = 85°C
Steady State
VDSS
VGS
ID
PD
30
±20
0.5
0.37
0.44
Unit
V
V
A
W
Gate 1
2
Source
Continuous Drain
Current (Note 1)
Power Dissipation
(Note 1)
t < 5 s TA = 25°C
TA = 85°C
t<5s
ID
PD
0.56
0.40
0.545
A
W
Pulsed Drain Current
tp = 10 ms
Operating Junction and Storage Temperature
IDM 1.7 A
TJ, −55 to °C
Tstg 150
Source Current (Body Diode)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8” from case for 10 s)
IS 1.0 A
TL 260 °C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol Max Unit
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)
Junction−to−Ambient − t = 5s (Note 1)
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)
RqJA
RqJA
RqJA
280 °C/W
228
400
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
MARKING DIAGRAM
3
Drain
KM
1
Gate
2
Source
KM = Specific Device Code
M = Month Code
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
LNTK4003M3T5G SOT723 3000/Tape & Reel
S-LNTK4003M3T5G
LNTK4003M3T5G SOT723 10,000/Tape & Reel
S-LNTK4003M3T5G
Rev .O 1/5




LNTK4003M3T5G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
50
40
30
20
10
0
0
LNTK4003M3T5G , S-LNTK4003M3T5G
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TJ = 25°C unless otherwise noted)
TJ = 25°C
VGS = 0 V
5
TJ = 25°C
ID = 0.1 A
4
Ciss
Coss
Crss
4 8 12 16
DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
20
3
2
1
0
0 0.4 0.8 1.2
QG, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate−to−Source & Drain−to−Source
Voltage vs. Total Charge
1
VGS = 0 V
0.1
0.01 TJ = 150°C
TJ = 25°C
0.001
0.4
0.6
VSD, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
Rev .O 4/5

4페이지












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