Datasheet.kr   

S-LNTR4003NLT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 S-LNTR4003NLT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 S-LNTR4003NLT1G 자료 제공

부품번호 S-LNTR4003NLT1G 기능
기능 Small Signal MOSFET
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


S-LNTR4003NLT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

S-LNTR4003NLT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Small Signal MOSFET
30 V, 0.56 A, Single, N−Channel, Gate
ESD Protection, SOT-23
Features
Low Gate Voltage Threshold(Vgs(th))to Facilitate Drive Circuit Design
Low Gate Charge for Fast Switching
ESD Protected Gate
Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V
We declare that the material of product is ROHS compliant
and halogen free.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
Applications
Level Shifters
Level Switches
Low Side Load Switches
Portable Applications
LNTR4003NLT1G
S-LNTR4003NLT1G
3
1
2
SOT-23
Drain
3
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol Value
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage
Continuous Drain
Current (Note 1)
Power Dissipation
(Note 1)
Steady TA = 25°C
State
TA = 85°C
Steady State
VDSS
VGS
ID
PD
30
±20
0.5
0.37
0.69
Unit
V
V
A
W
Gate 1
2
Source
Continuous Drain
Current (Note 1)
Power Dissipation
(Note 1)
t < 10 s TA = 25°C
TA = 85°C
t<5s
ID
PD
0.56 A
0.40
0.83 W
Pulsed Drain Current
tp = 10 ms
Operating Junction and Storage Temperature
IDM 1.7 A
TJ, −55 to °C
Tstg 150
Source Current (Body Diode)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8” from case for 10 s)
IS 1.0 A
TL 260 °C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol Max Unit
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)
RqJA
180 °C/W
Junction−to−Ambient − t < 10 s (Note 1)
RqJA
150
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)
RqJA
300
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
MARKING DIAGRAM
3
Drain
TR8
1
Gate
2
Source
TR8 = Specific Device Code
M = Month Code
ORDERING INFORMATION
Device
Package
LNTR4003NLT1G SOT−23
S-LNTR4003NLT1G
Shipping
3000/Tape & Reel
LNTR4003NLT3G SOT−23 10,000/Tape & Reel
S-LNTR4003NLT3G
Rev .O 1/5




S-LNTR4003NLT1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
50
40
30
20
10
0
0
LNTR4003NLT1G , S-LNTR4003NLT1G
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TJ = 25°C unless otherwise noted)
TJ = 25°C
VGS = 0 V
5
TJ = 25°C
ID = 0.1 A
4
Ciss
Coss
Crss
4 8 12 16
DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
20
3
2
1
0
0 0.4 0.8 1.2
QG, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate−to−Source & Drain−to−Source
Voltage vs. Total Charge
1
VGS = 0 V
0.1
0.01 TJ = 150°C
TJ = 25°C
0.001
0.4
0.6
VSD, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
Rev .O 4/5

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ S-LNTR4003NLT1G.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
S-LNTR4003NLT1G

Small Signal MOSFET

LRC
LRC

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵