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HAF2017S 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 HAF2017S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HAF2017S 자료 제공

부품번호 HAF2017S 기능
기능 Silicon N-Channel Power MOS FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


HAF2017S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

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HAF2017S 데이터시트, 핀배열, 회로
HAF2017(L), HAF2017(S)
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G0234-0200Z
(Previous ADE-208-1637 (Z))
Rev.2.00
Apr.13.2004
Descriptions
This FET has the over temperature shutdown capability sensing the junction temperature. This FET has the built-in
over temperature shutdown circuit in the gate area. And this circuit operation to shutdown the gate voltage in case of
high junction temperature like applying over power consumption, over current etc..
Features
Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)
High endurance capability against to the short circuit
Built-in the over temperature shutdown circuit
Latch type shutdown operation (Need 0 voltage recovery)
Outline
D
G Gate Resistor
Tempe-
rature
Sensing
Circuit
Latch
Circuit
Gate
Shut-
down
Circuit
S
LDPAK(L)
4
LDPAK(S)-1
4
1
2
3
1
2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Rev.2.00, Apr.13.2004, page 1 of 8




HAF2017S pdf, 반도체, 판매, 대치품
HAF2017(L), HAF2017(S)
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Typical Output Characteristics
50
10 V 8 V
Pulse Test
40
6V
30 5 V
4V
20
VGS = 3.5 V
10
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
1.0
Pulse Test
0.8
0.6 ID = 20 A
0.4
10 A
0.2 5 A
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Rev.2.00, Apr.13.2004, page 4 of 8
Maximum Safe Operation Area
500
Thermal shut down
200 operation area
100
50
20
10
5 Operation
2
in this area
is limited RDS(on)
1
100 µs
1 ms
PW
(TcD=C2O5p°C=e)r1a0tiomns
0.5 Ta = 25°C
0.3 0.5 1 2
5 10 20 50 100
Drain to Source voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
50
VDS = 10 V
Pulse Test
40
30 Tc = -25°C
25°C
20 75°C
10
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source State Resistance
vs. Drain Current
1000
300
100
VGS = 4.5 V
30
VGS = 10 V
10
3
Pulse Test
1
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Drain Current ID (A)

4페이지










HAF2017S 전자부품, 판매, 대치품
HAF2017(L), HAF2017(S)
Package Dimensions
10.2 ± 0.3
2.54 ± 0.5
1.3 ± 0.2
1.37 ± 0.2
0.86
+
0.2
0.1
0.76 ± 0.1
2.54 ± 0.5
4.44 ± 0.2
1.3 ± 0.15
As of January, 2003
Unit: mm
2.49 ± 0.2
0.4 ± 0.1
Package Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
LDPAK (L)
1.40 g
As of January, 2003
Unit: mm
10.2 ± 0.3
4.44 ± 0.2
1.3 ± 0.15
1.3 ± 0.2
2.54 ± 0.5
1.37 ± 0.2
0.86
+
0.2
0.1
2.54 ± 0.5
2.49 ± 0.2
0.1
+
0.2
0.1
0.4 ± 0.1
7.8
6.6
2.2
Package Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
LDPAK (S)-(1)
1.30 g
Rev.2.00, Apr.13.2004, page 7 of 8

7페이지


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