1N4148 - Fast Switching Diode

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Fast Switching Diode

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1N4148 & 1N4448

Fast Switching Diode

Features:

D Fast Switching Speed

D General Purpose Rectification

D Silicon Epitaxial Planar Construction

Mechanical Data:

D Case: DO-35

D Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

D Polarity: Cathode Band

D Marking: Type Number

D Weight: 0.13 grams (approx.)

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, unless otherwise specified)

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage, VRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

RMS Reverse Voltage, VR(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53V

Forward Continuous Current (Note 1), IFM

1N4148 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA

1N4448 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Average Rectified Output Current (Note 1), IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, IFSM

t = 1.0s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

t = 1.0μs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Power Dissipation (Note 1), Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.68mW/°C

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300K/W

Operating Junction Temperature Range, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +175°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +175°C

Note 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.

구 성

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1N4146	Diode Data	National Semiconductor
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