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부품번호 | C945 기능 |
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기능 | NPN Transistor | ||
제조업체 | JinYu | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
C945
TRANSISTOR (NPN)
FEATURE
SOT-23
z Excellent hFE Linearity
z Low noise
z Complementary to A733
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MARKING:CR·
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current -Continuous
PC Collector Power Dissipation
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
Value
60
50
5
150
200
150
-55-150
Units
V
V
V
mA
mW
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise figure
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICER
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
NF
Test conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA , IB=0
IE=0.1mA, IC=0
VCB=60V, IE=0
VCE=55V,R=10MΩ
VEB=5V , IC=0
VCE=6 V , IC=1mA
VCE=6 V , IC=0.1mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=6V,IC=10mA,f =30 MHz
VCB=10V,IE=0,f=1MHZ
VCE=6V,IC=0.1mA
Rg=10kΩ,f=1kMHZ
MIN TYP
60
50
5
130
40
150
4
MAX
0.1
0.1
0.1
400
UNIT
V
V
V
uA
uA
uA
0.3 V
1V
MHz
3.0 pF
10 dB
L
130-200
H
200-400
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
C941 | NPN Transistor - 2SC941 | Toshiba Semiconductor |
C941TM | NPN Transistor - 2SC941TM | Toshiba Semiconductor |
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