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MMBT3906WGH 데이터시트 PDF




Zowie Technology에서 제조한 전자 부품 MMBT3906WGH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MMBT3906WGH 자료 제공

부품번호 MMBT3906WGH 기능
기능 General Purpose Transistor
제조업체 Zowie Technology
로고 Zowie Technology 로고


MMBT3906WGH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MMBT3906WGH 데이터시트, 핀배열, 회로
Zowie Technology Corporation
General Purpose Transistor
PNP Silicon
Lead free product
Halogen-free type
3
MMBT3906WGH
1
2
SOT-323
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR-5 Board(1) TA=25oC
Derate above 25oC
Thermal Resistance Junction to Ambient
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA=25oC
Derate above 25oC
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
COLLECTOR
3
BASE
1
2
EMITTER
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Value
-40
-40
-5.0
-200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Symbol
PD
R JA
PD
R JA
TJ,TSTG
Max.
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 to +150
Unit
mW
mW / oC
oC / W
mW
mW / oC
oC / W
oC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdowe Voltage(3)
( IC=1.0mAdc, IB=0 )
V(BR)CEO
Collector-Base Breakdowe Voltage
( IC= -10 uAdc, IE=0 )
Emitter-Base Breakdowe Voltage
( IE= -10 uAdc, IC=0 )
Base Cutoff Current
( VCE= -30 Vdc, VEB= -3.0 Vdc )
Collector Cutoff Current
( VCE= -30 Vdc, VEB= -3.0 Vdc )
V(BR)CBO
V(BR)EBO
IBL
ICEX
Min.
-40
-40
-5.0
-
-
Max.
-
-
-
-50
-50
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
2010/12
Zowie Technology Corporation




MMBT3906WGH pdf, 반도체, 판매, 대치품
Zowie Technology Corporation
MMBT3906WGH
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE= -5.0Vdc, TA=25oC, Bandwidth=1.0HZ)
5.0
SOURCE RESISTANCE=200
IC=1.0 mA
4.0
SOURCE RESISTANCE=200
IC=0.5 mA
3.0
SOURCE RESISTANCE=2.0 K
IC=50uA
2.0
12
f = 1.0 KHZ
10
8
6
4
1.0 SOURCE RESISTANCE=2.0 K
2
IC =1.0 mA
IC =0.5 mA
IC =100 uA
IC =50 uA
0
0.1 0.2 0.4
300
1.0 2.0 4.0 10 20
f, FREQUENCY (kHz)
Figure 7.
40
100
0
0.1 0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10 20 40
RS, SOURCE RESISTANCE ( k OHMS )
Figure 8.
h PARAMETERS
(VCE= -10Vdc, f=1.0 kHZ, TA=25oC)
100
100
200
100
70
50
30
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT ( mA )
Figure 9. Current Gain
10
50
30
20
10
7
5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT ( mA )
Figure 10. Output Admittance
10
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT ( mA )
Figure 11. Input Impedance
10
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT ( mA )
Figure 12. Voltage Feedback Ratio
2010/12
Zowie Technology Corporation

4페이지












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