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부품번호 | CQY37N 기능 |
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기능 | GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package | ||
제조업체 | Vishay Telefunken | ||
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전체 5 페이지수
CQY37N
Vishay Telefunken
¾GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T– )
Package
Description
CQY37N is a standard GaAs infrared emitting diode in
a miniature top view plastic package.
Its clear lens provides a high radiant intensity without
external optics.
The diode is case compatible to the BPW17N photo-
transistor, allowing the user to assemble his own
optical interrupters.
Features
D Suitable for pulse operation
D Standard T–¾ lensed miniature package
D Angle of half intensity ϕ = ± 12°
D Peak wavelength lp = 950 nm
D Good spectral matching to Si photodetectors
Applications
Radiation source in near infrared range
94 8639
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25_C
Parameter
Reverse Voltage
Forward Current
Surge Forward Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Soldering Temperature
Thermal Resistance Junction/Ambient
Test Conditions
xtp 100 ms
xt 3 s
Symbol
VR
IF
IFSM
PV
Tj
Tstg
Tsd
RthJA
Value
5
100
2
170
100
–25...+100
245
450
Unit
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
K/W
Document Number 81002
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600
1 (5)
CQY37N
Vishay Telefunken
0° 10 20
°°
30°
40°
1.0
0.9 50°
0.8 60°
0.7 70°
80°
0.6 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6
94 7922 e
Figure 9. Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
Dimensions in mm
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600
4 (5)
95 11262
Document Number 81002
Rev. 2, 20-May-99
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CQY37N | GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package | Vishay Telefunken |
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