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STPSC10TH13TI 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STPSC10TH13TI은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STPSC10TH13TI 자료 제공

부품번호 STPSC10TH13TI 기능
기능 Dual 650V power Schottky silicon carbide diode
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STPSC10TH13TI 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STPSC10TH13TI 데이터시트, 핀배열, 회로
STPSC10TH13TI
Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series



,QVXODWHG72$%

Features
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of
temperature
Suited for specific bridge-less topologies
High forward surge capability
Insulated package:
– Capacitance: 7 pF
– Insulated voltage: 2500 V rms
Datasheet - production data
Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power
Schottky diode. It is manufactured using a silicon
carbide substrate. The wide band gap material
allows the design of a Schottky diode structure
with a 650 V rating. Due to the Schottky
construction, no recovery is shown at turn-off and
ringing patterns are negligible. The minimal
capacitive turn-off behavior is independent of
temperature.
Especially suited for use in specific bridge-less
topologies, this dual 650 V rectifier will boost the
performance in hard switching conditions. Its high
forward surge capability ensures a good
robustness during transient phases.
.
Table 1. Device summary (per diode)
Symbol
Value
IF(AV)
VRRM
Tj (max.)
10 A
650 V
175 °C
January 2016
This is information on a product in full production.
DocID024699 Rev 3
1/8
www.st.com
8




STPSC10TH13TI pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics
STPSC10TH13TI
Figure 5. Junction capacitance versus reverse
voltage applied
(typical values, per diode)
Figure 6. Relative variation of thermal
impedance junction to case versus pulse
duration
 &M S)












95 9

) 0+]
926& P9506
7M  ƒ&


 =WK MF 5WK MF








6LQJOHSXOVH


(
(
(
W S V
( ( ( (
Figure 7. Non-repetitive peak surge forward
current versus pulse duration (sinusoidal
waveform, per diode)
Figure 8. Total capacitive charges versus
reverse voltage applied (typical values, per
diode)
( ,)60 $
(
7D  ƒ&
7D  ƒ&
(
(
(
(
 4&M Q&






WS V
(




95 9
      
4/8 DocID024699 Rev 3

4페이지










STPSC10TH13TI 전자부품, 판매, 대치품
STPSC10TH13TI
3 Ordering information
Ordering information
Table 7. Ordering information
Order code
Marking
Package Weight Base qty Delivery mode
STPSC10TH13TI
STPSC 10TH13TI
Insulated
TO-220AB
2.3g
50
Tube
4 Revision history
Date
24-Jun-2013
07-Nov-2013
05-Jan-2016
Table 8. Document revision history
Revision
Changes
1 First issue.
2 Updated Figure 1 and Figure 2.
Updated Table 7.
3
Format updated to current standard.
DocID024699 Rev 3
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