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T835T-8T 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 T835T-8T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 T835T-8T 자료 제공

부품번호 T835T-8T 기능
기능 Triac
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


T835T-8T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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T835T-8T 데이터시트, 핀배열, 회로
A2
G
A1
A2
G
A2
A1
TO-220AB
(T835T-8T)
Table 1. Device summary
Symbol
Value
Unit
IT(rms)
VDRM, VRRM
VDSM, VRSM
IGT
8
800
900
35
A
V
V
mA
T835T-8T
8 A Snubberless™ Triac
Datasheet production data
Features
Medium current Triac
High static and dynamic commutation
Three quadrants
ECOPACK®2 compliant component
Applications
General purpose AC line load switching
Motor control circuits
Small home appliances
Lighting
Inrush current limiting circuits
Overvoltage crowbar protection
Description
Available in through-hole package, the T835T-8T
Triac can be used for the on/off or phase angle
control function in general purpose AC switching
where high commutation capability is required.
This device can be used without a snubber circuit
when the limits defined in this datasheet are
respected
July 2014
This is information on a product in full production.
TM: Snubberless is a trademark of STMicroelectronics
DocID024555 Rev 3
1/9
www.st.com
9




T835T-8T pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics
T835T-8T
Figure 5. On-state characteristics (maximum
values)
100 ITM(A)
Tj max :
Vto = 0.85 V
Rd = 57 m.W
10
Tj = 150 °C
Tj = 25 °C
VTM(V)
1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Figure 6. Surge peak on-state current versus
number of cycles
ITSM(A)
70
60
t = 20 ms
50
Non repetitive
One cycle
Tj initial=25 °C
40
30
20
10
0
1
Repetitive
TC= 131 °C
10
Number of cycles
100 1000
Figure 7. Non repetitive surge peak on-state
current and corresponding values of I2t
1000 ITSM(A), I²t (A²s)
dI/dt limitation: 100 A/µs
Tj initial=25 °C
ITSM
Figure 8. Relative variation of gate trigger
current and gate voltage versus junction
temperature (typical values)
2.0 IGT[Tj] / IGT[Tj = 25 °C], VGT[Tj] / VGT[Tj = 25 °C]
Typical values
1.5
IGT Q1-Q2
IGT Q3
100
VGT
1.0
I²t
Sinusoidal pulse with width tp<10 ms
10
0.01 0.10
1.00
0.5
tp(ms)
0.0
Tj(°C)
10.00
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
Figure 9. Relative variation of static dV/dt
immunity versus junction temperature (typical
values)
5 dV/dt [Tj] / dV/dt [Tj=150 °C]
(dV/dt) > 5KV/µs
4
VD=VR=402V
3
2
Figure 10. Relative variation of holding and
latching current versus junction temperature
(typical values)
2.0 IH, IL[Tj] / IH, IL[Tj = 25 °C]
1.5 IL
IH
1.0
0.5
1
Tj(°C)
Tj(°C)
0 0.0
25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
4/9 DocID024555 Rev 3

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T835T-8T 전자부품, 판매, 대치품
T835T-8T
Ref.
A
b
b1
c
D
D1
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
Package information
Table 6. TO-220AB dimension values
Dimensions
Millimeters
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
4.40 4.60
0.61 0.88
1.14 1.70
0.48 0.70
15.25
15.75
1.27 typ.
10 10.40
2.40 2.70
4.95 5.15
1.23 1.32
6.20 6.60
2.40
2.72
13 14
3.50 3.93
16.40 typ.
28.90 typ.
3.75 3.85
2.65 2.95
0.17
0.024
0.045
0.019
0.60
0.39
0.094
0.19
0.048
0.24
0.094
0.51
0.137
0.147
0.104
0.05 typ.
0.64 typ.
1.13 typ.
0.18
0.035
0.067
0.027
0.62
0.41
0.106
0.20
0.052
0.26
0.107
0.55
0.154
0.151
0.116
DocID024555 Rev 3
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