TMU2N60ZG - N-channel MOSFET

TRinno에서 제조한 전자 부품 TMU2N60ZG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

TMU2N60ZG의 기능 및 특징 중 하나는 "N-channel MOSFET" 입니다.

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TMU2N60ZG 기능

N-channel MOSFET

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Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) BVDSS 600V N-channel MOSFET ID RDS(on)MAX 2A <4.0W I-PAK Device TMD2N60Z / TMU2N60Z TMD2N60ZG / TMU2N60ZG Package D-PAK/I-PAK D-PAK/I-PAK Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (Note 1) TC = 25 ℃ TC = 100 ℃ Single Pulse Avalanche Energy (Note 2) Repetitive Avalanche Current (Note 1) Repetitive Avalanche Energy (Note 1) Power Dissipation TC = 25 ℃ Derate above 25 ℃ Pe

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1.3 V =0V GS 1.2 I = 250 μA D 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 -80 -40 0 40 80 120 Junction Temperature,T [oC] J 160 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 25 50 75 100 125 Case Temperature, T [℃] C 150 TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) 3.5 V = 10 V GS 3.0 I = 1.0 A D 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -80 -40 0 40 80 Junction Temperature, T [oC] J 120 160 1.5 1.0 0.5 0.0 -80 V =V DS GS I = 250  A D -40 0 40 80 Junction Temperature, T [oC] J 120 160 Operation in This Area is Limited by R DS(on) 101 10 us 100 us 1 ms 10 ms 100 100 ms DC 10-1 10-2 100 T = 25 oC C T = 150 oC J Single Pulse 101 102 Drain-Source Voltage, V [V] DS 103 Duty=0.5 100 0.2 0.1 0.05 10-1 0.02 0.01 10-2 single pulse PDM t T Duty = t/T Z (t) = 2.4 ℃/W Max. thJC 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 Pulse Width, t [sec] May 2012 : Rev0 www.trinnotech.com 4/6

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TMU2N60Z	N-channel MOSFET	TRinno
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