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Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 8090은 전자 산업 및 응용 분야에서 광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.
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PDF 형식의 8090 자료 제공
| 8090 기능 |
| LDMOS RF Power Field Effect Transistor |
| Infineon Technologies AG |
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PDF 파일안의 텍스트 미리보기
PTF080901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869–960 MHz Description Features The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. EDGE Modulation Spectrum Performance VDD = 28 V, IDQ = 700 mA, f = 959.8 MHz 0 55 -10 Ef f iciency 50 -20 45 -30 40 -40 35 -50 400 kHz -60 30 25 • Broadband internal matching • Typical EDGE performance - Average output power = 45 W - Gain = 18 dB - Efficiency = 40% • Typical CW performance - Output power at P–1dB = 120 W - Gain = 17 dB - Efficien| [ 8090.PDF 데이터시트 ] |
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관련 데이터시트
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
| 8090 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor | Infineon Technologies AG |
| 8090 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W/ 869-960 MHz | Infineon Technologies AG |
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