GP9960 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

GTM에서 제조한 전자 부품 GP9960은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

GP9960의 기능 및 특징 중 하나는 "N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET" 입니다.

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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Pb Free Plating Product ISSUED DATE :2005/08/08 REVISED DATE : GP9960 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 40V 25m 7A Description The GP9960 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. *Low On-Resistance *Fast Switching Speed Features Package Dimensions D GAUGE PLANE E REF. A A1 A2 b b1 b2 b3 c A Millimeter Min. Max. 0.381 2.921 0.356 0.356 1.143 0.762 0.203 0.5334 4.953 0.559 0.508 1.778 1.143 0.356 REF. c1 D E E1 e HE L Millimeter Min. Max. 0.203 0.279 9.017 10.16 6.096 7.112 7.620 8.255 2.540 BSC 10.92

Contents of page 4 out of 4 pages :

www.DataSheet4U.com ISSUED DATE :2005/08/08 REVISED DATE : Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Switching Time Waveform Fig 12. Gate Charge Waveform Important Notice: All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM. GTM reserves the right to make changes to its products without notice. GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems. GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance. Head Office And Factory: Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C. TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785 China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165 4/4

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GP9960	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTM
GP9962	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTM