NEC에서 제조한 전자 부품 2SD1692은 전자 산업 및 응용 분야에서 광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.
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PDF 형식의 2SD1692 자료 제공
2SD1692 기능 |
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
NEC |
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DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SD1692 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FEATURES • High DC current gain due to Darlington connection • Large current capacity and low VCE(sat) • Large power dissipation TO-126 type power transistor • Complementary transistor: 2SB1149 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C) Parameter Symbol Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current (DC) Collector current (pulse) Total power dissipation Total power dissipation Junction temperature Storage temperature VCBO VCEO VEBO IC(DC) IC(pulse)* PT (Ta = 25°C) PT (Tc = 25°C) Tj Tstg * PWPDF 파일 전체 : 3 페이지중 1, 2페이지 미리보기

관련 데이터시트
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SD1691 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR | ![]() NEC |
2SD1691 | LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT | ![]() Unisonic Technologies |
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