P10NK60ZFP - STP10NK60ZFP

STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 P10NK60ZFP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

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P10NK60ZFP 기능

STP10NK60ZFP

STMicroelectronics

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STB10NK60Z/-1 - STP10NK60Z/FP STW10NK60Z N-CHANNEL 600V-0.65Ω-10A - TO220/FP-D²/I²PAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET General features Type STB10NK60Z STB10NK60Z-1 STP10NK60ZFP STP10NK60Z STW10NK60Z s s s s s s Package RDS(on) <0.75 Ω <0.75 Ω <0.75 Ω <0.75 Ω <0.75 Ω ID 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A Pw 115 115 35 115 156 VDSS 600 600 600 600 600 V V V V V 3 1 2 1 2 3 3 2 1 TO-220 TO-220FP TO-247 TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED GATE CHARGE MINIMIZED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES VERY GOOD MANUFACTURING REPEABILITY 3 1 3 12 D²PAK I²PAK Internal schemat

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www.DataSheet4U.com 2 Electrical characteristics STB10NK60Z/-1 - STP10NK60Z/FP - STW10NK60Z 2 Electrical characteristics (TCASE = 25 °C unless otherwise specified) Table 5. On/Off Symbol Parameter V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current (VGS = 0) Gate Body Leakage Current (VDS = 0) Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On Resistance Test Conditions ID = 250µA, VGS= 0 VDS = Max Rating, VGS = ±15V, VDS = 0 VDS= VGS, ID = 250 µA VGS= 10 V, ID= 20 A Min. 600 3 Typ. 3.75 0.65 Max. 1 50 ±10 4.5 0.75 Unit V µA µA V Ω Table 6. Dynamic Symbol Parameter Test Conditions gfs Note 4 Ciss Coss Crss Coss eq. Note 5 Qg Qgs Qgd Forward Transconductance VDS =15V, ID = 4.5A Input Capacitance Output Capacitance VDS =25V, f=1 MHz, VGS=0 Reverse Transfer Capacitance Equivalent Ouput Capacitance VGS=0, VDS =0V to 480V Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge VDD=480V, ID = 8A VGS =10V (see Figure 19) Min. Typ. 7.8 1370 156 37 Max. Unit S pF pF pF 90 pF 50 70 nC 10 nC 25 nC Table 7. Switching on/off Symbol Parameter td(on) tr Turn-on Delay Time Rise Time td(off) tf tr(Voff) tf tc Turn-off Delay Time Fall Time Off-voltage Rise Time Fall Time Cross-over Time Test Conditions VDD=300 V, ID=4A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 20) VDD=300 V, ID=4A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 20) VDD=480 V, ID=8A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 20) Min. Typ. Max. Unit 20 ns 20 ns 55 ns 30 ns 18 ns 18 ns 36 ns 4/19

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