WV3EG128M72EFSR-D3 데이터시트 PDF



White Electronic Designs에서 제조한 전자 부품 WV3EG128M72EFSR-D3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



WV3EG128M72EFSR-D3의 기능 및 특징 중 하나는 "1GB - 128Mx72 DDR SDRAM REGISTERED w/PLL" 입니다.


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WV3EG128M72EFSR-D3 기능
1GB - 128Mx72 DDR SDRAM REGISTERED w/PLL
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White Electronic Designs WV3EG128M72EFSR-D3 ADVANCED* 1GB – 128Mx72 DDR SDRAM REGISTERED w/PLL, FBGA FEATURES Double-data-rate architecture DDR266 and DDR333 • JEDEC design specifications Bi-directional data strobes (DQS) Differential clock inputs (CK & CK#) Programmable Read Latency 2,2,5 (clock) Programmable Burst Length (2,4,8) Programmable Burst type (sequential & interleave) Edge aligned data output, center aligned data input Auto and self refresh Serial presence detect Power Supply: • VCC = VCCQ = +2.5V ±0.2V (100, 133 and 166MHz) 184 pin DIMM package PCB height: • D3: 29.97mm (1.18") NOTE: Consult factory for availability of: • Lea

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White Electronic Designs WV3EG128M72EFSR-D3 ADVANCED ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Voltage on any pin relative to VSS Symbol VIN, VOUT Voltage on VCC supply relative to VSS Storage Temperature Power Dissipation Short Circuit Current VCC, VCCQ TSTG PD IOS Note: Permanent device damage may occur if ‘ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS’ are exceeded. Functional operation should be restricted to recommended operating condition. Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability Value -0.5 to 3.6 -1.0 to 3.6 -55 to +150 18 50 Units V V °C W mA DC CHARACTERISTICS 0°C ≤ TA ≤ 70°C, VCC = 2.5V ± 0.2V Parameter Supply Voltage (for device with nominal VCC of 2.5V) I/O Supply Voltage I/O Reference Voltage I/O Termination Voltage (systems) Input Logic High Voltage Input Logic Low Voltage Input Voltage Level, CK and CK# inputs Input Differential Voltage, CK and CK# inputs Input Crossing Point Voltage, CK and CK# inputs Input Leakage Current Output Leakage Current Output High Current (Normal strength driver); VOUT = VTT + 0.84V Output High Current (Normal strength driver); VOUT = VTT - 0.84V Output High Current (Half strength driver); VOUT = VTT + 0.45V Output High Current (Half strength driver); VOUT = VTT - 0.45V Symbol VCC VCCQ VREF VTT VIH(DC) VIL(DC) VIN(DC) VID(DC) VIX(DC) IL IOZ IOH IOL IOH IOL Min 2.3 2.3 VCCQ/2-50mV VREF -0.04 VREF +0.15 -0.3 -0.3 0.3 1.15 -2 -5 -16.8 16.8 -9 9 Max 2.3 2.3 VCCQ/2+50mV VREF +0.04 VCCQ +0.3 VREF -0.15 VCCQ +0.3 VCCQ +0.6 1.35 2 5 Unit V V V V V V V V V uA uA mA mA mA mA Notes: 1w. wIwnc.lDudaetsa±S2h5meeVtm4aUrg.icnofomr DC offset on VREF, and a combined total of ± 50mV 4. These parameters should be tested at the pin on actual components and may margin for all AC noise and DC offset on VREF, bandwidth limited to

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WV3EG128M72EFSR-D3 datasheet
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1GB - 128Mx72 DDR SDRAM REGISTERED w/PLL

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