WV3EG264M72ESFR-D4 데이터시트 PDF



White Electronic Designs에서 제조한 전자 부품 WV3EG264M72ESFR-D4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



WV3EG264M72ESFR-D4의 기능 및 특징 중 하나는 "1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED" 입니다.


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WV3EG264M72ESFR-D4 기능
1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED
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White Electronic Designs WV3EG264M72ESFR-D4 ADVANCED* 1GB – 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED, w/PLL FEATURES 200-pin SO-DIMM, dual in-line memory module Fast data transfer rates: PC2100 and PC2700 Utilizes 266 and 333 Mb/s DDR SDRAM components VCC = VCCQ = 2.5V ±0.2V Bidirectional data strobe (DQS) option Differential clock inputs (CK and CK#) DLL to align DQ and DQS transitions with CK Programmable burst: length (2, 4, 8) Programmable READ# latency (CL): 2 and 2.5 (clock) Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM Auto and self refresh: 64ms/ 8,192 cycle refresh Gold edge contacts Dual Rank Package option • 200 Pin SO-DIMM • PCB – 31.75mm (1.25"

Contents of page 4 out of 11 pages :

White Electronic Designs WV3EG264M72ESFR-D4 ADVANCED DC OPERATING CONDITIONS 0°C TA 70°C Parameter Symbol Min Max Unit Note Supply voltage (for device with a nominal VCC of 2.5V) VCC 2.3 2.7 I/O Supply voltage VCCQ 2.3 2.7 V I/O Reference voltage VREF 0.49*VCCQ 0.51*VCCQ V 1 I/O Termination voltage (system) VTT VREF-0.04 VREF+0.04 V 2 Input logic high voltage VIH(DC) VREF+0.15 VCCQ+0.3 V 4 Input logic low voltage VIL(DC) -0.3 VREF-0.15 V 4 Input Voltage Level, CK and CK# inputs VIN(DC) -0.3 VCCQ+0.3 V Input Differential Voltage, CK and CK# inputs VID(DC) 0.3 VCCQ+0.6 V 3 Input leakage current II -2 2 uA Output leakage current IOZ -5 5 uA Output High Current(Normal strengh driver); VOUT = VTT + 0.84V IOH -16.8 mA Output High Current(Normal strengh driver); VOUT = VTT - 0.84V IOL 16.8 mA Output High Current(Half strengh driver); VOUT = VTT + 0.45V IOH -9 mA Output High Current(Half strengh driver); VOUT = VTT - 0.45V IOL 9 mA Notes: 1. Includes ± 25mV margin for DC offset on VREF, and a combined total of ± 50mV margin for all AC noise and DC offset on VREF, bandwidth limited to 20MHz. The DRAM must accommodate DRAM current spikes on VREF and internal DRAM noise coupled to VREF, both of which may result in VREF noise. VREF should be de-coupled with an inductance of ≤ 3nH. 2. VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to VREF, and must track variations in the DC level of VREF 3. VID is the magnitude of the difference between

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WV3EG264M72ESFR-D4 datasheet
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