WV3EG6437S-D4 데이터시트 PDF



White Electronic Designs에서 제조한 전자 부품 WV3EG6437S-D4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



WV3EG6437S-D4의 기능 및 특징 중 하나는 "256MB - 2x16Mx64 DDR SDRAM SO-DIMM" 입니다.


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WV3EG6437S-D4 기능
256MB - 2x16Mx64 DDR SDRAM SO-DIMM
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White Electronic Designs WV3EG6437S-D4 ADVANCED* 256MB – 2x16Mx64 DDR SDRAM SO-DIMM, UNBUFFERED FEATURES Unbuffered Double-data-rate architecture DDR300 and DDR400 • JEDEC design specifications Bi-directional data strobes (DQS) Differential clock inputs (CK & CK#) Programmable Read Latency 2.5, 3 Programmable Burst Length (2,4,8) Programmable Burst type (sequential & interleave) Edge aligned data output, center aligned data input Auto and self refresh, (8K/64ms Refresh) Serial presence detect with EEPROM Dual Rank Power Supply: VCC = VCC: 2.5V ± 0.2V (DDR300) VCC = VCCQ: 2.6V ± 0.1V (DDR400) JEDEC standard 200 pin SO-DIMM package • Package h

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White Electronic Designs WV3EG6437S-D4 ADVANCED ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Voltage on any pin relative to VSS VIN, VOUT Voltage on VCC supply relative to VSS VCC, VCCQ Storage Temperature TSTG Operating Temperature TA Power Dissipation PD Short Circuit Current IOS Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded. Functional operation should be restricted to recommended operating condition. Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability. Value -0.5 to 3.6 -0.5 to 3.6 -55 to +150 0 - 70 8 50 Units V V °C °C W mA DC CHARACTERISTICS 0°C ≤ TA ≤ 70°C Parameter Symbol Min Max Unit Supply voltage DDR333 VCC 2.3 2.7 V I/O Supply voltage DDR333 VCCQ 2.3 2.7 V Supply Voltage DDR400 VCC 2.5 2.7 V I/O Supply Voltage DDR400 VCCQ 2.5 2.7 V I/O Reference voltage VREF 0.49 + VCC 0.51 + VCC V I/O Termination voltage VTT VREF - 0.04 VREF + 0.04 V Input logic high voltage VIH(DC) VREF + 0.15 VCC + 0.30 V Input logic low voltage VIL(DC) -0.3 VREF - 0.15 V Input voltage level, CK and CK# VIn(DC) -0.3 VCC + 0.30 V Input differential voltage, CK and CK# VID(DC) 0.36 VCC + 0.60 V Input crossing point voltage, CK and CK# www.DataSheet4U.com Addr, CAS#, RAS#, WE# VIX(DC) 0.3 -16 VCC + 0.60 16 V µA Input leakage current CS#, CKE CK, CK# -8 II -8 8 µA 8 µA DM -4 4 µA Output leackage current DQ, DQS IOZ -10 10 µA Output high surrent (normal strength) VOUT = VTT + 0.84V IOH -16.8 - mA Output high surrent (normal strength) VOUT = VTT - 0.84V IOL 16.8 - mA Output high surrent (half strength) VOUT = VTT + 0.45V IOH -9 - mA Output high surrent (half strength) VOUT = VTT - 0.45V IOL 9 - mA Notes: 1. VREF is expected to equal 0.5*VCCQ of the transmitting

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WV3EG6437S-D4 datasheet
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