WV3EG64M64ETSU-D4 데이터시트 PDF



White Electronic Designs에서 제조한 전자 부품 WV3EG64M64ETSU-D4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



WV3EG64M64ETSU-D4의 기능 및 특징 중 하나는 "512MB - 64Mx64 DDR SDRAM" 입니다.


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WV3EG64M64ETSU-D4 기능
512MB - 64Mx64 DDR SDRAM
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White Electronic Designs WV3EG64M64ETSU-D4 PRELIMINARY* 512MB – 64Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, SO-DIMM FEATURES Fast data transfer rate: PC3200 & PC2700 Clock speeds of 200MHz & 166MHz Bi-directional data strobes (DQS) Differential clock inputs (CK & CK#) Programmable Read Latency : DDR400 (3 clock), DDR333 (2.5 clock) Programmable Burst Length (2, 4 or 8) Programmable Burst type (sequential & interleave) Edge aligned data output, center aligned data input Auto and self refresh, 7.8µs refresh interval (8K (64ms refresh) Serial presence detect (SPD) with EEPROM Serial presence detect with EEPROM VCC = VCCQ = +2.5V ±0.2V (166MHz) VCC = VCCQ = +2.6V

Contents of page 4 out of 12 pages :

White Electronic Designs WV3EG64M64ETSU-D4 PRELIMINARY DC OPERATING CONDITIONS TA = 0°C to 70°C Parameter/Condition Symbol Min Max Units Notes Supply Voltage DDR400 (nominal VCC 2.6) VCC 2.5 2.7 V I/O Supply Voltage DDR400 (nominal VCC 2.6) VCCQ 2.5 2.7 V Supply Voltage DDR333 I/O Supply Voltage DDR333 VCC VCCQ 2.3 2.3 2.7 V 2.7 V I/O Reference Voltage VREF 0.49 × VCCQ 0.51 × VCCQ V 1 I/O Termination Voltage (system) Input High (Logic 1) Voltage Input Low (Logic 0) Voltage VTT VIH(DC) VIL(DC) VREF - 0.04 VREF + 0.15 -0.3 VREF + 0.04 VCC + 0.30 VREF - 0.15 V V V 2 Input voltage level, CK and CK# VIN(DC) -0.3 VCCQ + 0.30 V Input differential voltage, CK and CK# Input crossing point voltage, CK and CK# Addr, CAS#, RAS#, WE# VID(DC) VIX(DC) -0.3 VCCQ + 0.60 V 3 -0.3 VCCQ + 0.60 V -16 16 µA Input leakage current CS#, CKE CK, CK# II -16 16 µA -8 8 µA DM -2 2 µA Output leakage current IOZ -5 5 µA Output high current (normal strength) VOUT = v + 0.84V IOH -16.8 — mA Output high current (normal strength) VOUT = v - 0.84V Output high current (half strength) VOUT = VTT + 0.45V Output high current (half strength) VOUT = VTT - 0.45V IOL -16.8 VOH -9 VOL 9 — mA — mA — mA Notes: 1w. wVwRE.FDisaetxapSechteedetot4bUe e.cquoaml to 0.5*VCCQ of the transmitting device, and to track variations in the DC level of the same. Peak to peak noise on VREF may not exceed +/-2% of the DC values. 2. VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to VREF,

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WV3EG64M64ETSU-D4 datasheet
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512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

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512MB - 64Mx64 DDR SDRAM

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