WV3HG128M72EER-D7 데이터시트 PDF



White Electronic Designs에서 제조한 전자 부품 WV3HG128M72EER-D7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



WV3HG128M72EER-D7의 기능 및 특징 중 하나는 "1GB - 128Mx72 DDR2 SDRAM REGISTERED" 입니다.


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WV3HG128M72EER-D7 기능
1GB - 128Mx72 DDR2 SDRAM REGISTERED
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White Electronic Designs WV3HG128M72EER-D7 ADVANCED* 1GB – 128Mx72 DDR2 SDRAM REGISTERED, w/PLL, Mini-DIMM FEATURES 244-pin, dual in-line memory module (Mini-DIMM) Fast data transfer rates: PC2-6400*, PCS-5300*, PC2-4200 and PC2-3200 Utilizes 800*, 667*, 533 and 400 Mb/s DDR2 SDRAM components VCC = VCCQ = 1.8V ±0.1V VCCSPD = 1.7V to 3.6V Differential data strobe (DQS, DQS#) option Four-bit prefetch architecture Programmable CAS# latency (CL): 3, 4, 5* and 6* On-die termination (ODT) Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM JEDEC Standard 1.8V I/O (SSTL_18 Compatible) Gold (Au) edge contacts Sinlge Rank RoHS compliant Package option • 244 Pin Min

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White Electronic Designs WV3HG128M72EER-D7 ADVANCED Symbol VCC VIN, VOUT TSTG IL IOZ IVREF ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Voltage on VCC pin relative to VSS Voltage on any pin relative to VSS Storage Temperature Input leakage current; Any input 0V<VIN<VCC; VREF input 0V,VIN,0.95V; Other pins not under test = 0V Output leakage current; 0V<VIN<VCC; DQs and ODT are disable VREF leakage current; VREF = Valid VREF level Command/Address, RAS#, CAS#, WE#, CK, CK# DM DQ, DQS, DQS# Min -0.5 -0.5 -55 -5 -10 -5 -5 -18 Max Units 2.3 V 2.3 V 100 °C 5 µA 10 µA 5 µA 5 µA 18 µA DC OPERATING CONDITIONS All voltages referenced to VSS Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Supply Voltage I/O Reference Voltage I/O Termination Voltage SPD Supply Voltage VCC VREF VTT VCCSPD 1.7 0.49 x VCC VREF-0.04 1.7 1.8 0.50 x VCC VREF - 1.9 0.51 x VCC VREF+0.04 3.6 V V V V 3 1 2 Notes: 1 VREF is expected to equal VCC/2 of the transmitting device and to track variations in the DC level of the same. Peak-to-peak noise on VREF may not exceed +/-1 percent of the DC value. Peak-to-peak AC noise on VREF may not exceed +/-2 percent of VREF. This measurement is to be taken at the nearest VREF bypass capacitor. 2. VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to VREF and must track variations in the DC level of VREF. 3. VCCQ of all IC's are tied to VCC. www.DataSheet4U.com INPUT/OUTPUT CAPACITANCE TA=25 0 C, f=1 00MHz Parameter Input capacitance (A0 - A13, BA0 - BA1 ,RAS#,CAS#,WE#) Input capacitance

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WV3HG128M72EER-D7 datasheet
WV3HG128M72EER-D7 pinouts
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1GB - 128Mx72 DDR2 SDRAM REGISTERED

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