WV3HG2256M72AER-D6 데이터시트 PDF



White Electronic Designs에서 제조한 전자 부품 WV3HG2256M72AER-D6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



WV3HG2256M72AER-D6의 기능 및 특징 중 하나는 "4GB - 2x256Mx72 DDR2 SDRAM RDIM" 입니다.


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WV3HG2256M72AER-D6 기능
4GB - 2x256Mx72 DDR2 SDRAM RDIM
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White Electronic Designs WV3HG2256M72AER-D6 ADVANCED* 4GB – 2x256Mx72 DDR2 SDRAM RDIMM, w/PLL FEATURES 240-pin, dual in-line memory module (DIMM) Fast data transfer rates: PC2-6400*, PC2-5300*, PC2-4300 and PC2-3200 Support ECC error detection and correction VCC = VCCQ = 1.8V± 0.1V VCCSPD = +1.7V to +3.6V JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) Differential data strobe (DQS, DQS#) option Four-bit prefetch architecture DLL to align DQ and DQS transitions with CK Multiple internal device banks for concurrent operation Supports duplicate output strobe (RDQS/RDQS#) Programmable CAS# latency (CL): 3, 4, 5* and 6* Adjustable data-output drive stren

Contents of page 4 out of 12 pages :

White Electronic Designs WV3HG2256M72AER-D6 ADVANCED RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS All Voltages Referenced to VSS Rating Parameter Symbol Min. Type Max. Units Notes Supply Voltage VCC 1.7 1.8 1.9 V 3 I/O Input Reference Voltage VREF 0.49*VCC 0.50*VCC 0.51*VCC V 1 I/O Termination Voltage VTT VREF-0.04 VREF VREF+0.04 V 2 SPD Supply Voltage VCCSPD 1.7 — 3.6 V Notes: 1. VREF is expected to equal VCCQ/2 of the transmitting device and to track variations in the DC level of the same. Peak-to-peak noise on VREF may not exceed ±1 percent of the DC value. Peak-to-peak AC noise on VREF may not exceed ±2 percent of VREF. This measurement is to be taken at the nearest VREF bypass capacitor.. 2. VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to VREF and must track variations in the DC level of VREF. 3. VCCQ of all IC's are tied to VCC. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter VCC Voltage on VCC pin relative to VSS VIN, VOUT Voltage on any pin relative to VSS TSTG Storage Temperature Command/Address, IL Input leakage current; Any input 0V<VIN<VCC; VREF input 0V<VIN<0.95V; Other pins not under test = 0V RAS#, CAS#, WE#, CS#, CKE CK, CK# DM IOZ Output leakage current; 0V<VOUT<VCCQ; DQs and ODT are disable DQ, DQS, DQS# w IVwREF w V. REDF leaakaget cuarrenSt; VRhEF =eVaelid VtREF4leveUl . c o m Min -0.5 -0.5 -55 -10 -10 -72 Max Units 2.3 V 2.3 V 100 °C 10 µA 10 µA 72 µA CAPACITANCE TA = 25°C, f = 100MHz, VCC

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WV3HG2256M72AER-D6 datasheet
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4GB - 2x256Mx72 DDR2 SDRAM RDIM

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