IGW03N120H2 데이터시트 PDF



Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IGW03N120H2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



IGW03N120H2의 기능 및 특징 중 하나는 "IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )" 입니다.


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IGW03N120H2 기능
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
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IGP03N120H2 IGW03N120H2 HighSpeed 2-Technology • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A • Qualified according to JEDEC2 for target applications PG-TO220-3-1 • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ C G E PG-TO-247-3 Type IGW03N120H2 IGP03N120H2 VCE IC Eoff Tj

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IGP03N120H2 IGW03N120H2 12A Ic 10A 8A TC=80°C 6A TC=110°C 4A 2A Ic 0A 10Hz 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz f, SWITCHING FREQUENCY Figure 1. Collector current as a function of switching frequency (Tj ≤ 150°C, D = 0.5, VCE = 800V, VGE = +15V/0V, RG = 82Ω) 10A 1A 0,1A tp= 1 μs 5 μs 1 0 μs 5 0 μs 1 0 0 μs 5 0 0 μs DC ,0 1 A 1 V 10V 100V 1000V VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE Figure 2. Safe operating area (D = 0, TC = 25°C, Tj ≤ 150°C) 60W 50W 40W 30W 20W 10W 0W 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C TC, CASE TEMPERATURE Figure 3. Power dissipation as a function of case temperature (Tj ≤ 150°C) 12A 10A 8A 6A 4A 2A 0A 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C TC, CASE TEMPERATURE Figure 4. Collector current as a function of case temperature (VGE ≤ 15V, Tj ≤ 150°C) Power Semiconductors 4 Rev. 2.6 Febr. 08

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IGW03N120H2 datasheet
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