IGW75N60T 데이터시트 PDF



Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IGW75N60T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



IGW75N60T의 기능 및 특징 중 하나는 "IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )" 입니다.


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IGW75N60T 기능
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
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IGW75N60T TRENCHSTOP™ Series q Low Loss IGBT: IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed  Positive temperature coefficient in VCE(sat)  Low EMI  Low Gate Charge  Qualified according to JEDEC1 for target applications  Pb-free lead plating; RoHS compliant �

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IGW75N60T TRENCHSTOP™ Series q 200A 150A 100A TC=80°C TC=110°C 50A 0A 10Hz Ic Ic 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz f, SWITCHING FREQUENCY Figure 1. Collector current as a function of switching frequency (Tj  175C, D = 0.5, VCE = 400V, VGE = 0/15V, rG = 5) 100A tp=1µs 10µs 50µs 10A 1ms 10ms DC 1A 1V 10V 100V 1000V VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE Figure 2. Safe operating area (D = 0, TC = 25C, Tj 175C; VGE=0/15V) 400W 350W 300W 250W 200W 150W 100W 50W 0W 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C Figure 3. TC, CASE TEMPERATURE Power dissipation as a function of case temperature (Tj  175C) 120A 90A 60A 30A 0A 25°C 75°C 125°C Figure 4. TC, CASE TEMPERATURE DC Collector current as a function of case temperature (VGE  15V, Tj  175C) IFAG IPC TD VLS 4 Rev. 2.6 20.09.2013

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IGW75N60T datasheet
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