AP9971GM 데이터시트 PDF



Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9971GM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



AP9971GM의 기능 및 특징 중 하나는 "N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET" 입니다.


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AP9971GM 기능
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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AP9971GM RoHS-compliant Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Low On-resistance ▼ Single Drive Requirement ▼ Surface Mount Package D1 G2 S2 D2 D2 D1 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 60V 50mΩ 5A D2 SO-8 S1 G1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. G1 D1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Symbol VDS VGS ID@TA=25℃ Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current3, VGS @ 10V Continuous Drain Current , VGS @ 10V Pulsed

Contents of page 4 out of 5 pages :

AP9971GM 14 I D =5A 12 10 8 V DS =30V V DS =38V V DS =48V 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 7. Gate Charge Characteristics f=1.0MHz 10000 Ciss 1000 Coss 100 Crss 10 1 5 9 13 17 21 25 29 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 8. Typical Capacitance Characteristics 100 10 100us 1ms 1 10ms 100ms 0.1 T A =25 o C 1s Single Pulse DC 0.01 www.DataSheet4U.c0o.1 m 1 10 100 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) 1000 Fig 9. Maximum Safe Operating Area 1 DUTY=0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 0.01 Single Pulse PDM t T Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthja + Ta Rthja = 135℃/W 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Pulse Width (s) 10 100 1000 Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf VG 10V QGS QG QGD Charge Q Fig 11. Switching Time Waveform Fig 12. Gate Charge Waveform 4

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