WV3EG265M72EFSU-D4 데이터시트 PDF



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1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED
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White Electronic Designs WV3EG265M72EFSU-D4 ADVANCED* 1GB – 2x64Mx72 DDR SDRAM, UNBUFFERED, PLL, FBGA FEATURES Unbuffered 200-pin (SO-DIMM), small-outline, dualin-line module Fast data transfer rate: PC-2100, and PC-2700 Clock speeds of 133MHz, and 166MHz Supports ECC error detection and correction VCC = VCCQ = +2.5V ± 0.2V(133 and 166MHz) Bi-directional data strobes (DQS) Differential clock inputs (CK & CK#) Programmable Read Latency: DDR 266 (2, 2.5 clock), DDR333 (2.5 clock) Programmable Burst Length (2, 4, 8) Programmable Burst type (sequential & interleave) Edge aligned data output, center aligned data input Auto and self refresh, 7.8µs refr

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White Electronic Designs WV3EG265M72EFSU-D4 ADVANCED DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS PARAMETER/CONDITION SYMBOL MIN MAX UNITS Notes Supply Voltage DRR266/DDR333 (nominal VCC 2.5V) VCC 2.3 2.7 V I/O Supply Voltage DRR266/DDR333 (nominal VCC 2.5V VCCQ 2.3 2.7 V I/O Reference Voltage I/O Termination Voltage VREF 0.49 × VCC 0.51 × VCC VTT VREF - 0.04 VREF + 0.04 V V 1 2 Input Logic High Voltage VIH(DC) VREF + 0.15 VCC + 0.30 V Input Logic Low Voltage Input voltage level, CK and CK# Input differential voltage, CK and CK# VIL(DC) VIN(DC) VID(DC) -0.3 VREF - 0.15 -0.3 VREF + 0.30 0.3 VREF + 0.60 V V V 3 Input crossing point voltage, CK and CK# VIX(DC) 0.3 VREF - 0.60 V Addr CAS#, RAS#, WE# -36 36 µA Input leakage current CS#, CKE CK, CK# II -18 18 µA -10 10 µA DM -4 4 µA Output leakage current IOZ -10 10 µA Output high current (normal strength) VOUT = v +0.84V Output high current (normal strength) VOUT = VTT - 0.84V IOH -16.8 IOL 16.8 mA mA Output high current (half strength) VOUT = VTT - 0.45V IOH -9 mA Output high current (half strength) VOUT = VTT - 0.45V IOL 9 mA Notes: 1 VREF is expected to equal to 0.5*VCCQ of the transmitting device and to track variations in the DC level of the same. Peak-to-peak noise on VREF may not exceed +/-2 percent of the DC value. 2. VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to VREF and must track variations in the DC level of VREF. 3. VID is

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WV3EG265M72EFSU-D4 datasheet
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WV3EG265M72EFSU-D4

1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM

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