FCA35N60 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FCA35N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FCA35N60의 기능 및 특징 중 하나는 "600V N-Channel MOSFET" 입니다.


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FCA35N60 기능
600V N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FCA35N60 N-Channel MOSFET March 2009 FCA35N60 600V N-Channel MOSFET Features • 650V @ TJ = 150°C • Typ.RDS(on) = 0.079Ω • Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) • Low effective output capacitance ( Typ. Coss.eff = 340pF ) • 100% avalanche tested SuperFETTM Description SuperFETTM is Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avala

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Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.15 1.10 1.05 1.00 0.95 0.90 0.85 -100 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 250µA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 300 100 10 Operation in This Area 1 is Limited by R DS(on) 10µs 100µs 1ms 10ms DC Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -100 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 17.5A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 40 30 20 0.1 www.DataSheet4U.com 0.01 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 10 0 25 50 75 100 125 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 150 0.6 0.5 0.1 0.2 0.1 0.05 0.01 0.02 0.01 Single pulse 0.001 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.4oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 1 10 FCA35N60 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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