FCPF9N60NT 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FCPF9N60NT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FCPF9N60NT의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FCPF9N60NT 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FCP9N60N / FCPF9N60NT N-Channel MOSFET FCP9N60N / FCPF9N60NT N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Ω Features • RDS(on) = 0.33Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A • Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 22nC) • Low effective output capacitance • 100% avalanche tested • RoHS compliant TM SupreMOS tm August 2009 Description The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By utilizing this advanced technology and precise process control, SupreMOS provides world class Rsp, superior switching performance and r

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Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 -100 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 1mA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Safe Operating Area _ FCP9N60N 50 10μs 10 1 Operation in This Area is Limited by R DS(on) 100μs 1ms 10ms DC 0.1 www.DataSheet4U0..c0o1m 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 Figure 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 10 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -100 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 4.5A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 10. Maximum Safe Operating Area _ FCPF9N60NT 100 10μs 10 100μs 1ms 1 Operation in This Area 10ms is Limited by R DS(on) DC 0.1 *Notes: 1. TC = 25oC 0.01 1 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 TC, Case Temperature [oC] FCP9N60N / FCPF9N60NT Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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