FDA24N50 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDA24N50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDA24N50의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDA24N50 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDA24N50 N-Channel MOSFET FDA24N50 N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.19Ω Features • RDS(on) = 0.16Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A • Low gate charge ( Typ. 65nC) • Low Crss ( Typ. 35pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant UniFETTM August 2008 Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Th

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 1.1 2.0 1.0 1.5 0.9 0.8 -75 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 250μA -25 25 75 125 TJ, Junction Temperature [oC] 175 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 200 100 10 1 Operation in This Area is Limited by R DS(on) 40μs 100μs 1ms 10ms DC 1.0 0.5 0.0 -75 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 12A -25 25 75 125 TJ, Junction Temperature [oC] 175 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 24 18 12 0.1 0.01 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 6 0 25 50 75 100 125 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 150 1 0.5 0.1 0.2 0.1 0.05 0.01 0.02 0.01 Single pulse 0.001 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.46oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 100 101 FDA24N50 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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FDA24N50 datasheet
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