FDA24N50F 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDA24N50F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDA24N50F의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDA24N50F 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDA24N50F N-Channel MOSFET November 2008 FDA24N50F N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2Ω Features • RDS(on) = 0.166Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A • Low Gate Charge ( Typ. 65nC) • Low Crss ( Typ. 32pF) • Fast Switching • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • RoHS Compliant UniFETTM tm Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 -75 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 250µA -25 25 75 125 TJ, Junction Temperature [oC] 175 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 200 100 10 Operation in This Area 1 is Limited by R DS(on) 60µs 100µs 1ms 10ms DC Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -75 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 12A -25 25 75 125 TJ, Junction Temperature [oC] 175 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 24 18 12 0.1 0.01 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 6 0 25 50 75 100 125 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 150 1 0.5 0.1 0.2 0.1 0.05 0.01 0.02 0.01 0.001 Single pulse 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.46oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 100 101 FDA24N50F Rev. A 4 www.fairchildsemi.com Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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FDA24N50F datasheet
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