FDB024N06 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDB024N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDB024N06의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel PowerTrench MOSFET" 입니다.


PDF 형식의 FDB024N06 자료 제공

FDB024N06 기능
N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 로고 


FDB024N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



PDF 파일안의 텍스트 미리보기

FDB024N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET July 2008 FDB024N06 60V, 265A, 2.4mΩ Features N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. ® tm • RDS(on) = 1.8mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A • Fast switching speed • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(on) • High power and current handling capability • RoHS compliant Application • DC to DC convertors / Synchronous Rectification

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.15 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 2.0 1.10 1.6 1.05 1.00 0.95 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 10mA 0.90 -100 -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 1.2 0.8 0.4 -100 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 75A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 1000 100 Operation in This Area 10 is Limited by R DS(on) 10µs 100µs 1ms 10ms DC 300 250 200 150 Limited by package 1 www.DataSheet4U.com 0.1 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 175oC 3. Single Pulse 10 VDS, Drain-Source Voltage [V] 100 100 50 0 25 50TC, Ca7s5e Tem1p0e0ratur1e2[5oC] 150 Figure 11. Transient Thermal Response Curve 175 1 0.5 0.1 0.2 0.1 0.05 0.01 0.02 0.01 Single pulse 0.005 10-5 10-4 PDM *Notes: t1 t2 1. ZθJC(t) = 0.38oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 1 10 FDB024N06 Rev. A3 4 www.fairchildsemi.com

PDF 파일 전체 : 8 페이지중 1, 2페이지 미리보기
FDB024N06 datasheet
FDB024N06 pinouts
[ FDB024N06.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는

부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.
scroll

관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDB024N04AL7

MOSFET ( Transistor )

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
FDB024N06

N-Channel PowerTrench MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

우리는 플랫폼을 지속적으로 개선하고 새로운 기능을 추가하여 사용자 경험을 향상시키기 위해 최선을 다하고 있습니다.

DataSheet.kr    |   2020   |  연락처  

|  링크모음   |   검색  |   사이트맵