FDB029N06 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDB029N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDB029N06의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel PowerTrench MOSFET" 입니다.


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N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDB029N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2009 FDB029N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ Features • RDS(on) = 2.4mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • High Power and Current Handling Capability • RoHS Compliant Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Application • DC to DC Convertors / Synchronous Rectification D D G G S D2-P

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 2.0 1.1 1.5 1.0 0.9 -100 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 10mA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 10000 1.0 0.5 -100 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 75A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 200 1000 150 100 100µs 10 Operation in This Area is Limited by R DS(on) *Notes: 1ms 1 1. TC = 25oC 10ms 2. TJ = 175oC www.DataSheet4U.com3. Single Pulse 0.1 0.1 1 10 100ms DC 100 300 VDS, Drain-Source Voltage [V] 100 Limited by package 50 0 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 Single pulse 0.01 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.65oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 1 10 FDB029N06 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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