FDB039N06 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDB039N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDB039N06의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDB039N06 기능
N-Channel MOSFET
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FDB039N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET July 2009 FDB039N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mΩ Features • RDS(on) = 2.95mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • High Power and Current Handling Capability • RoHS Compliant General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Application • DC to DC convertors / Synchronous Rectification D D

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 2.4 1.1 1.0 0.9 0.8 -80 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 10mA -40 0 40 80 120 160 200 TJ, Junction Temperature [oC] 2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 -75 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 75A -25 25 75 125 175 TJ, Junction Temperature [oC] 225 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 1000 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 200 100µs 100 1ms 10 Operation in This Area is Limited by R DS(on) 10ms 100ms 1s 1 www.DataSheet4U.com 0.1 0.1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 175oC 3. Single Pulse 1 10 VDS, Drain-Source Voltage [V] 100 160 120 Limited by package 80 40 0 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.01 0.02 0.01 Single pulse 0.001 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.65oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 1 10 FDB039N06 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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