FDB088N08 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDB088N08은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDB088N08의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDB088N08 기능
N-Channel MOSFET
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FDB088N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2009 FDB088N08 75V, 85A, 8.8mΩ Features N-Channel PowerTrench MOSFET Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s adcanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. ® tm • RDS(on) = 7.3 mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • High Power and Current Handling Capability • RoHS Compliant Application • DC to DC Convertors / Synchronous Rectification D D G D

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Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 1.1 2.0 1.0 1.5 0.9 0.8 -100 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 1mA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 1.0 0.5 0.0 -100 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 75A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 1000 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 100 10μs 100 100μs 10 Operation in This Area is Limited by R DS(on) *Notes: 1 1. TC = 25oC 2. TJ = 175oC 3. Single Pulse 1ms 10ms DC www.DataSheet4U.com0.1 1 10 100 200 VDS, Drain-Source Voltage [V] 80 60 Limited by package 40 20 0 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 2 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 0.01 Single pulse 0.05 10-5 10-4 PDM t1 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.9t24oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 100 101 FDB088N08 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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