FDB12N50U 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDB12N50U은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDB12N50U의 기능 및 특징 중 하나는 " N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDB12N50U 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDB12N50U N-Channel MOSFET March 2008 FDB12N50U N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 10A, 0.8Ω Features • RDS(on) = 0.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 5A • Low gate charge ( Typ. 21nC) • Low Crss ( Typ. 11pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant Ultra FRFET tm TM Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and co

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 -100 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 250µA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 12 Figure 8. Maximum Safe Operating Area 100 10 1 Operation in This Area is Limited by R DS(on) 20µs 100µs 1ms 10ms DC 0.1 0.01 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 10 8 6 4 2 www.DataSheet4U.c0om 25 50 75 100 125 TC, Case Temperature [oC] 150 Figure 10. Transient Thermal Response Curve 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 0.01 Single pulse 1E-3 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.75oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 100 101 FDB12N50U Rev. A2 4 www.fairchildsemi.com

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FDB12N50U datasheet
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