FDB3860 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDB3860은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDB3860의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDB3860 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDB3860 N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2009 FDB3860 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 30 A, 37 mΩ Features „ Max rDS(on) = 37 mΩ at VGS = 10 V, ID = 5.9 A „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) „ 100% UIL tested „ RoHS Compliant General Description This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process. This part is tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche ruggedness for a wide range of switching applications. Applications „ DC-AC Conversion „ Synchronous Rectifier D D G S TO-263AB FDB Series G S MOSFET Maximum Ratings T

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 5.9 A 8 VDD = 50 V VDD = 25 V VDD = 75 V 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 5000 1000 Ciss 100 f = 1 MHz VGS = 0 V Coss Crss 10 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 100 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 10 8 6 4 TJ = 25 oC 3 TJ = 100 oC 2 TJ = 125 oC 1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive Switching Capability 100 100 10 1 0.1 0.1 100 us THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJC = 1.75 oC/W TC = 25 oC 1 ms 10 ms DC 1 10 100 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 300 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 35 28 VGS = 10 V 21 14 7 RθJC = 1.75 oC/W 0 25 50 75 100 125 150 TC, CASE TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 105 104 VGS = 10 V SINGLE PULSE 103 RθJC = 1.75 oC/W TC = 25 oC 102 10 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 t, PULSE WIDTH (sec) 10-1 1 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDB3860 Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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