FDU5N53 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDU5N53은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDU5N53의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDU5N53 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDD5N53 / FDU5N53 N-Channel MOSFET January 2009 FDD5N53/FDU5N53 N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω Features • RDS(on) = 1.25Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A • Low gate charge ( Typ. 11nC) • Low Crss ( Typ. 5pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant UniFETTM tm Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pluse in the avalanche and com

Contents of page 4 out of 9 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 1.1 2.0 1.0 1.5 0.9 0.8 -75 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 250μA -25 25 75 125 TJ, Junction Temperature [oC] 175 1.0 0.5 0.0 -75 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 2A -25 25 75 125 TJ, Junction Temperature [oC] 175 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 30 30μs 10 100μs 1ms 1 10ms Operation in This Area is Limited by R DS(on) DC 0.1 www.DataSheet4U.com 0.01 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 800 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 4.5 4 3 2 1 0 25 50 75 100 125 150 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 3 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 Single pulse 0.01 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 1.4oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 10-1 Rectangular Pulse Duration [sec] 100 101 FDD5N53/FDU5N53 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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