FDD6778A 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD6778A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDD6778A의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDD6778A 기능
N-Channel MOSFET
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FDD6778A N-Channel PowerTrench® MOSFET January 2009 FDD6778A N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 14.0 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed. „ Max rDS(on) = 14.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.0 A „ Max rDS(on) = 30.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 9.7 A „ 100% UIL tested „ RoHS Compliant Applications „ Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers „ VRM for Intermediate Bus Architecture D D G G S

Contents of page 4 out of 6 pages :

Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 10 A 8 6 4 VDD = 10 V VDD = 13 V VDD = 16 V 2 0 0 3 6 9 12 15 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 2000 1000 Ciss Coss 100 80 0.1 f = 1 MHz VGS = 0 V Crss 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 20 40 10 TJ = 150 oC TJ = 25 oC TJ = 125 oC 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive Switching Capability 10 30 VGS = 10 V 20 VGS = 4.5 V 10 Limited by Package 0 25 50 75 RθJC = 6.2 oC/W 100 125 150 Tc, CASE TEMPERATURE (oC) 175 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 100 10 us 100 us 10 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 1 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED 1 ms 10 ms RθJC = 6.2 oC/W 100 ms TC = 25 oC DC 0.1 0.1 1 10 70 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 8000 1000 VGS = 10 V 100 SINGLE PULSE RθJC = 6.2 oC/W TC = 25 oC 10 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 t, PULSE WIDTH (sec) Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDD6778A Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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