FDD6780A 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD6780A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDD6780A의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDD6780A 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDD6780A / FDU6780A_F071 N-Channel Power Trench® MOSFET January 2009 FDD6780A / FDU6780A_F071 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 8.6 mΩ Features „ Max rDS(on) = 8.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 16.4 A „ Max rDS(on) = 19.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 12.2 A „ 100% UIL test „ RoHS Compliant General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed. Applications „ Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers „ VRM for Intermediate B

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 100 VGS = 10 V 80 VGS = 8 V 60 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX VGS = 6 V 40 VGS = 4.5 V 20 VGS = 4 V 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 1. On-Region Characteristics 6 5 VGS = 4 V PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 4 VGS = 4.5 V 3 VGS = 6 V 2 VGS = 8 V 1 VGS = 10 V 0 0 20 40 60 80 100 ID, DRAIN CURRENT (A) Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain Current and Gate Voltage 1.8 1.6 ID = 16.4 A VGS = 10 V 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) Figure 3. Normalized On- Resistance vs Junction Temperature www.DataSheet4U.com 100 80 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX VDS = 3 V 60 40 TJ = 175 oC TJ = 25 oC 20 TJ = -55 oC 0 0123456 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 5. Transfer Characteristics 7 25 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 20 ID = 16.4 A 15 TJ = 150 oC 10 TJ = 25 oC 5 468 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source Voltage 10 100 VGS = 0 V 10 TJ = 175 oC 1 TJ = 25 oC TJ = -55 oC 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) Figure 6. Source to Drain Diode Forward Voltage vs Source Current 1.4 ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDD6780A /

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