FDD6782A 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD6782A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDD6782A의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDD6782A 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDD6782A N-Channel Power Trench® MOSFET January 2009 FDD6782A N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 10.5 mΩ Features „ Max rDS(on) = 10.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.9 A „ Max rDS(on) = 24.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.0 A „ 100% UIL test „ RoHS Compliant General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed. Applications „ Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers „ VRM for Intermediate Bus Architecture D D G S G D

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 14.9 A 8 6 4 VDD = 10 V VDD = 13 V VDD = 16 V 2 0 0 3 6 9 12 15 18 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 2000 1000 Ciss Coss f = 1 MHz VGS = 0 V 100 0.1 1 Crss 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure8. Capacitance vs Drain to Source Voltage 30 50 30 TJ = 125 oC 10 TJ = 25 oC TJ = 150 oC 1 0.001 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) Figure 9. Unclamped Inductive Switching Capability 100 www.DataSheet4U.com 200 100 10 us 10 1 0.1 0.1 100 us THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJC = 4.8 oC/W TC = 25 oC 1 ms 10 ms 100 ms 1s 1 10 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 70 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 40 30 VGS = 10 V 20 Limited by Package 10 RθJC = 4.8 oC/W VGS = 4.5 V 0 25 50 75 100 125 150 Tc, CASE TEMPERATURE (oC) 175 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 2000 1000 VGS = 10 V 100 SINGLE PULSE RθJC = 4.8 oC/W TC = 25 oC 20 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 t, PULSE WIDTH (sec) 100 10 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDD6782A Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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