FDD6796 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD6796은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDD6796의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDD6796 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDD6796 N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2008 FDD6796 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed. „ Max rDS(on) = 5.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 20 A „ Max rDS(on) = 9.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 15.5 A „ 100% UIL tested „ RoHS Compliant Applications „ Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers „ VRM for Intermediate Bus Architecture D D G G S D -P

Contents of page 4 out of 6 pages :

Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 20 A 8 VDD = 13 V 6 VDD = 10 V VDD = 16 V 4 2 0 0 5 10 15 20 25 30 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 5000 1000 Ciss Coss f = 1 MHz 100 VGS = 0 V Crss 50 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 100 40 TJ = 25 oC 10 TJ = 150 oC 1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) Figure9. UnclampedInductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 200 100 100 100 us 10 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 1 ms 1 0.1 0.1 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJC = 3.5 oC/W TC = 25 oC 1 10 10 ms 100 ms DC 100 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 70 60 50 40 30 Limited by Package 20 VGS = 4.5 V RθJC = 3.5 oC/W 10 VGS = 10 V 0 25 50 75 100 125 150 TC, CASE TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 175 105 104 VGS = 10 V SINGLE PULSE 103 RθJC = 3.5 oC/W TC = 25 oC 102 101 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 t, PULSE WIDTH (sec) 10-1 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation 1 FDD6796 Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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