FDD8426H 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD8426H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDD8426H의 기능 및 특징 중 하나는 "Dual P and N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDD8426H 기능
Dual P and N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDD8426H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET September 2009 FDD8426H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET Features Q1: N-Channel „ Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A „ Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A Q2: P-Channel „ Max rDS(on) = 17 mΩ at VGS = -10 V, ID = -10 A „ Max rDS(on) = 27 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -8.3 A „ 100% UIL Tested „ RoHS Compliant N-Channel: 40 V, 12 A, 12 mΩ P-Channel: -40 V, -10 A, 17 mΩ General Description These dual N and P-Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimi

Contents of page 4 out of 11 pages :

Typical Characteristics (Q1 N-Channel) TJ = 25°C unless otherwise noted 40 VGS = 10 V VGS = 6 V 30 20 10 0 0.0 VGS = 4.5 V VGS = 4 V VGS = 3.5 V PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 0.5 1.0 1.5 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 2.0 Figure 1. On Region Characteristics 2.5 2.0 VGS = 3.5 V 1.5 VGS = 4 V VGS = 4.5 V VGS = 6 V 1.0 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 0.5 0 10 20 ID, DRAIN CURRENT (A) VGS = 10 V 30 40 Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain Current and Gate Voltage 1.8 ID = 12 A VGS = 10 V 1.5 1.2 0.9 0.6 -75 www.DataSheet4U.com -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction Temperature 300 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX ID = 12 A 200 TJ = 125 oC 100 TJ = 25 oC 0 2468 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source Voltage 10 40 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 30 VDS = 5 V TJ = 150 oC 20 TJ = 25 oC 10 TJ = -55 oC 0 1234 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 5. Transfer Characteristics 40 10 VGS = 0 V TJ = 150 oC 1 0.1 TJ = 25 oC 0.01 0.001 0.2 TJ = -55 oC 0.4 0.6 0.8 1.0 VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) 1.2 Figure 6. Source to Drain Diode Forward Voltage vs Source Current ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDD8426H Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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FDD8426H

Dual P and N-Channel MOSFET

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