FDD8647L 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD8647L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDD8647L의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDD8647L 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDD8647L N-Channel PowerTrench® MOSFET December 2008 FDD8647L N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 42 A, 9 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the application. „ Max rDS(on) = 9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A „ Max rDS(on) = 13 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A „ Fast Switching „ 100% UIL tested „ RoHS Compliant Applications „ Inverter „ Power Supplies D D G G S D -PA K TO -2 52 (TO -252) S MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherw

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 13 A 8 6 VDD = 20 V VDD = 15 V VDD = 25 V 4 2 0 0 5 10 15 20 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 3000 1000 Ciss Coss 100 f = 1 MHz Crss VGS = 0 V 10 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 40 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 100 42 10 TJ = 25 oC TJ = 125 oC 1 0.001 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive Switching Capability 100 200 100 10 100 us THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 1 0.1 0.1 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJC = 2.9 oC/W TC = 25 oC 1 10 1 ms 10 ms 100 ms DC 100 200 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 60 50 40 30 20 10 0 25 Limited by Package VGS = 10 V VGS = 4.5 V RθJC = 2.9 oC/W 50 75 100 125 TC, CASE TEMPERATURE (oC) 150 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 105 VGS = 10 V 104 103 102 SINGLE PULSE RθJC = 2.9 oC/W TC = 25 oC 10 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 t, PULSE WIDTH (sec) 10-1 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation 1 ©2008 Fairchild Semiconductor Corporation FDD8647L Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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